Tsieina Wire Aloi Efydd Silicon Arbennig, Resistivity 0.167 μΩ·m, Gweithgynhyrchu a Ffatri |TANKII

Gwifren Aloi Efydd Silicon Arbennig, Gwrthedd 0.167 μΩ·m, Delwedd dan Sylw

Gwifren Aloi Efydd Silicon Arbennig, Gwrthiant 0.167 μΩ·m,

Disgrifiad Byr:

Gwifren Alloy Efydd Silicon Arbennig TQSi1.5-0.5, TQSn0.7-0.02 a BMn0.6-0.6.yn perthyn i'n heitemau patent, mae'r gwifrau aloi hyn o eiddo weldio gwych a gwrthedd is y gellir eu defnyddio mewn gweithgynhyrchu amddiffynydd ffiwsiau, cydran electron goleuadau, electron, diwydiant rhyfel, meysydd offer cartref ac ati.

Enw:Gwifren Efydd Silicon Arbennig

Gradd:TQSi1.5-0.5

Gwrthiant μΩ·m:0.167±0.03

Diamedr:0.03mm Isafswm.

Tarddiad:Shanghai Tsieina.

Anfonwch e-bost atom

Manylion Cynnyrch

FAQ

Tagiau Cynnyrch

CemegolCgwrthwynebiad

Enw

Gradd

CemegolCgwrthwynebiad，%

safonol

Efydd Silicon Arbennig

TQSi1.5-0.5

1.35 ~ 1.85

0.1 ~ 0.6

≤0.2

≤0.3

≤0.03

≤0.5

Bal.

Q/SZD01-2012

dimensiwn a goddefgarwch

Diau./mm		0.03 ~ 0.10	>0.1 ~ 0.030	>0.30 ~ 0.60	>0.60 ~ 1.00	>1.00 ~ 3.00	>3.00 ~ 6.00
Tgoddefgarwch（±）	Ⅰ	0.003	0.004	0.007	0.010	0.015	0.020
	Ⅱ	0.004	0.005	0.009	0.015	0.020	0.030
	Ⅲ	0.005	0.006	0.010	0.020	0.030	0. 040

Perfformiad cynnyrch

Gradd	Cyflwr	Diau. mm	S. N/mm2（≥）	Elongation %（≥）	GwrtheddμΩ·m	Standard
TQSi1.5-0.5	M	0.03 ~ 0.10	300	15	0. 167±0.03	Q/SZD01-2012
		>0.10 ~ 0.60	280	20
		>0.60 ~ 1.00	260	25
		>1.00 ~ 3.00	250	30
		>3.00 ~ 6.00	240	30